氧化鋁陶瓷基片

精密加工与表面平整度
采用高精度研磨抛光工艺，表面粗糙度可达Ra≤0.1μm，满足微电路印刷和芯片贴装的严苛要求。基片厚度公差可控制在±0.02mm内，确保批量产品的一致性。

优异的电绝缘与介电性能
体积电阻率：>10¹⁴ Ω·cm（500℃环境下）
介电常数：9-10（1MHz）
击穿场强：≥25 kV/mm
这些特性使其在高频电路和高压应用中表现突出。

高热导率与热稳定性
热导率：25 W/(m·K)（96%氧化铝规格）
热膨胀系数：6.5×10⁻⁶/℃（与硅芯片匹配）
最高工作温度：1600℃
确保在高功率器件中有效散热并保持尺寸稳定。

强化机械性能
抗弯强度：≥300 MPa（三点弯曲测试）
抗压强度：≥2000 MPa
维氏硬度：1600HV1
密度：3.7 g/cm³（96%纯度规格）
兼具轻量化与高承载能力，适应振动环境应用。